NAND Flash x3和x4技術

 NAND Flash x3和x4技術


隨著NAND Flash應用於各種電子產品，對於容量的要求也越來越高，此在NAND Flash架構由SLC
(Single Level Cell)移轉至MLC (Multi Level Cell)後，x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)技術陸續問世。

過去SLC架構是1個記憶體儲存單元(cell)中，存放1位元(bit)的資料，SLC晶片雖然價格較高，但具有讀寫速度快、壽命長和高穩定度等優點，而到了MLC時代，即是1個記憶體儲存單元中，存放2位元的資料，目前MLC比重在NAND Flash產業中，佔有85%以上的產能，名正言順登上NAND Flash技術的主流地位。

在MLC技術之後，2009年x3和x4記憶體技術架構陸續問世，顧名思義是1個記憶體儲存單元中，存放3個或4個位元的資料，優點是容量大增，但缺點是讀寫速度變得很慢，且可讀寫次數也會大幅降低，目前僅適用於低速和低階的隨身碟和快閃記憶卡。

目前x3和x4記憶體技術，領先者為東芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)，美光(Micron)也搶在年底前登場，就像過去SLC轉MLC世代般，三星電子(Samsung Electronics)的速度落後，惟三星具有量產優勢，市場也看好後來居上的能力，可望讓導入x3技術的產品，更快普及於消費端，惟使用壽命短的問題，恐還是要經過消費者一段時間的試用後，才能反映真實情況。